一种电容器结构及其制造方法
基本信息
| 申请号 | CN201310451191.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103489928A | 公开（公告）日 | 2014-01-01 |
| 申请公布号 | CN103489928A | 申请公布日 | 2014-01-01 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L29/94(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梅当民;郭增良;李素杰 | 申请（专利权）人 | 北京中科微电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 刘杰 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路11号中国科学院微电子研究所综合楼八层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及电容技术领域，特别涉及一种电容器结构及其制造方法，结构包括：P型衬底、P型外延层、第一电极板、第二电极板、第三电极板、第一介质层及第二介质层，P型外延层设在P型衬底上方，第一电极板设在P型外延层上方；第二电极板设在第一电极板上方；第三电极板设在第二电极板上方；第一介质层设置在第一电极板及第二电极板之间；第二介质层设置在第二电极板及第三电极板之间。方法包括：生成P型外延层，形成第一电极板，在第一电极板上生长第一介质层；在第一介质层上形成第二电极板，在第二电极板上形成第二介质层；在第二介质层上形成第三电极板。本发明提供的电容器结构及制造方法可有效地提高集成电路中电容器的单位面积容值。 |
