一种双层偏振非制冷红外探测器结构及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710331925.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107117579B | 公开（公告）日 | 2021-07-16 |
| 申请公布号 | CN107117579B | 申请公布日 | 2021-07-16 |
| 分类号 | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00;G01J4/04;G01J5/08;G01J5/20 | 分类 | 微观结构技术〔7〕; |
| 发明人 | 邱栋;杨水长;王鹏;王宏臣;陈文礼 | 申请（专利权）人 | 招商银行股份有限公司烟台分行 |
| 代理机构 | 青岛发思特专利商标代理有限公司 | 代理人 | 董宝锞 |
| 地址 | 264006 山东省烟台市经济技术开发区贵阳大街11号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种双层偏振非制冷红外探测器结构，包括半导体基座和探测器本体，所述探测器本体包括绝缘介质层、金属反射层、第一支撑层、金属电极层、第一保护层、第二支撑层、电极金属层、热敏层和第二保护层，所述第一支撑层和绝缘介质层之间形成第一谐振腔，所述第一保护层和第二支撑层之间形成第二谐振腔，所述电极金属层上设有热敏层，双层结构提高了像元的红外吸收效率，在第二保护层上设有偏振结构，可以实现偏振敏感型红外探测器的单片集成，而且极大的降低了光学设计的难度；还涉及上述探测器结构的制备方法，包括制备双层非制冷红外探测器的步骤，还包括在双层非制冷红外探测器上制备偏振结构的步骤。 |
