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一种用于单晶硅生产的整体烧制石英坩埚

基本信息

申请号 CN201520635812.3 申请日 -
公开（公告）号 CN204939661U 公开（公告）日 2016-01-06
申请公布号 CN204939661U 申请公布日 2016-01-06
分类号 C30B35/00(2006.01)I 分类 晶体生长〔3〕;
发明人 范玉华;李卫涛;陈召强;赵学东 申请（专利权）人 宁晋昌隆电子材料制造有限公司
代理机构 河北东尚律师事务所 代理人 王文庆
地址 055550 河北省邢台市宁晋县晶龙大街279号
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型公开了一种用于单晶硅生产的整体烧制石英坩埚。其从内到外分为两层；内层的材质为美国尤尼明公司生产的IOTA-CG标准高纯石英砂，外层的材质为国产石英砂，在烧制前只对内层进行抽真空处理，从而把其烧制成高密度、高硬度的透明层，其厚度为3mm～5mm，外层是厚度为5mm～10mm的不透明层。本实用新型在生产的过程中进行分层处理，内层和外层分别采用高等级和低等级材质，并且在烧制前只对内层进行抽真空处理，从而使内层满足单晶硅生产过程中的质量要求，外层对内层起到保护和支撑的作用，同时降低了成本。