一种新型多路高压采样电路
基本信息
| 申请号 | CN202110099125.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112929019B | 公开（公告）日 | 2022-02-08 |
| 申请公布号 | CN112929019B | 申请公布日 | 2022-02-08 |
| 分类号 | H03K19/0175（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 费俊驰;刘三味;张军;庄志伟 | 申请（专利权）人 | 无锡英迪芯微电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 过顾佳;聂启新 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市清源路18号530创业大厦C502 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种新型多路高压采样电路，涉及电子电路技术领域，该电路包括若干个并联的采样通道，每个采样通道基于四个场效应管组构建，每个场效应管组分别包括两个源端相连的NMOS管，两个NMOS管的漏端分别作为场效应管组的第一端和第二端，两个NMOS管的栅端相连并作为场效应管组的第三端；由于各个场效应管组均由一个NMOS管的漏端连接高压的待采样信号，因此可以避免使用过程中高压导致的器件被击穿，从而提高电路的可靠性，为工业界半导体和汽车电子半导体领域的高压采样提供了有效的解决方法。 |
