一种高性能的带隙基准电路
基本信息
| 申请号 | CN202110177683.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112987836B | 公开（公告）日 | 2022-01-28 |
| 申请公布号 | CN112987836B | 申请公布日 | 2022-01-28 |
| 分类号 | G05F1/567（2006.01）I | 分类 | 控制；调节; |
| 发明人 | 李响;董渊;蔡胜凯 | 申请（专利权）人 | 无锡英迪芯微电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 无锡华源专利商标事务所（普通合伙） | 代理人 | 过顾佳;聂启新 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市清源路18号530创业大厦C502 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高性能的带隙基准电路，涉及电子电路领域，在该带隙基准电路中，第一三极管的集电极通过镜像支路连接工作电压、发射极通过第一电阻和第四可调电阻接地，与第一三极管共基极的第二三极管的集电极通过镜像支路连接工作电压、发射极连接第一电阻和第四可调电阻的公共端，第三电阻的一端通过镜像支路连接工作电压、另一端连接第一三极管的基极，通过镜像支路实现的电流镜使得流过第一三极管、第二三极管和第三电阻的电流相等，负反馈支路连接补偿电容的高端并提供第一三极管和第二三极管的基极电流以及稳定输出点，该电路具有较小的工作电压、较好的温漂表现、较高的环路带宽和瞬态响应，工作性能较优。 |
