一种低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110738481.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113501985A | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN113501985A | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | C08J5/18（2006.01）I;C08L79/08（2006.01）I;C08L27/18（2006.01）I;C08G73/10（2006.01）I | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 徐哲;刘国隆;解惠东;邵成蒙 | 申请（专利权）人 | 浙江中科玖源新材料有限公司 |
| 代理机构 | 合肥金律专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 杨霞 |
| 地址 | 321100浙江省金华市兰溪市兰江街道兰溪经济开发区光膜小镇 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种低介电常数聚酰亚胺薄膜的制备方法，通过将芳香二胺与聚四氟乙烯分散液混合后，与脂肪族二酐进行聚合、亚胺化制备得到；所述聚四氟乙烯分散液包括聚四氟乙烯微粉、全氟烷基乙氧基硅烷、油性溶剂。本发明制备得到的聚酰亚胺薄膜具有较低的介电常数和介电损耗，能够适用于挠性印制电路板在高频下的传输要求。 |
