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陶瓷低温活性金属化用膏体、陶瓷金属化方法及依据该方法制备的真空电子器件

基本信息

申请号 CN201811438469.8 申请日 -
公开（公告）号 CN109384474B 公开（公告）日 2021-09-17
申请公布号 CN109384474B 申请公布日 2021-09-17
分类号 C04B41/88 分类 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料〔4〕;
发明人 黄晓猛;陈立建;张国清;韩鹏;焦磊;王冉;王峰 申请（专利权）人 北京有色金属与稀土应用研究所有限公司
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 代理人 刘茵
地址 100012 北京市朝阳区安定门外北苑路40号
法律状态 -

摘要

摘要 一种陶瓷低温活性金属化用膏体、陶瓷金属化方法及依据该方法制备的真空电子器件。膏体的组成为：Mo粉3.0～5.0wt.％，粘结剂8.0～15.0wt.％和AgCuInTiLi合金粉为余量。其制备方法包括：制备陶瓷低温活性金属化用膏体，将膏体涂覆在陶瓷表面，烘干陶瓷除去粘结剂和真空烧结。陶瓷活性金属化处理后，可在表面生成厚度40μm～60μm的金属过渡层，可焊性得到改善，焊着率及焊接强度显著提高。该处理方法适用于氧化铝、氧化锆、氧化铍、氮化硼等多种陶瓷金属化，方法简单，操作流程短，成本低，利于批量生产。