一种有机硅化物修饰的疏水型正极材料及制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202111161974.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113889618A | 公开（公告）日 | 2022-01-04 |
| 申请公布号 | CN113889618A | 申请公布日 | 2022-01-04 |
| 分类号 | H01M4/505（2010.01）I;H01M4/525（2010.01）I;H01M4/62（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 裴东;李文升;李婧;许国峰;刘攀;张冉 | 申请（专利权）人 | 天津蓝天太阳科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人 | 许爱文 |
| 地址 | 300384天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明属于锂离子电池正极材料技术领域，特别是涉及一种有机硅化物修饰的疏水型正极材料及制备方法。该疏水型正极材料是由基体正极材料通过有机硅化物修饰得到的，基体正极材料为核壳结构，通过共沉淀‑高温烧结法制备得到。上述疏水型正极材料制备方法包括如下步骤：将基体正极材料经过Mo/Al元素共掺杂、去离子水水洗、Ce氧化物包覆处理；将有机硅化物加入到溶剂中形成均匀溶液；有机硅化物和溶剂的体积比为1:（100～300）；将经过处理的基体正极材料加入到均匀溶液中，匀速搅拌0.5～6h，得到固液混合液；后处理得到疏水正极材料。该方法简单易控制，可有效解决正极材料表面微量残余碱吸附水分的问题。 |
