一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110891962.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113690399A | 公开（公告）日 | 2021-11-23 |
| 申请公布号 | CN113690399A | 申请公布日 | 2021-11-23 |
| 分类号 | H01M4/04;H01M4/1391;H01M4/131;H01M4/505;H01M4/525;H01M10/0525 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 李文升;裴东;梁婷婷;许国峰;刘攀 | 申请（专利权）人 | 天津蓝天太阳科技有限公司 |
| 代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 | 代理人 | 张倩 |
| 地址 | 300384 天津市滨海新区滨海高新技术产业开发区华科七路6号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料及其制备方法，制备方法为：将高镍三元前驱体、锂源、金属氟化物和含锆化合物按比例混合均匀，得到混合物；将得到的混合物在氧气气氛中先低温预烧再高温煅烧，得到阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；将得到的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体经过破碎、过筛得到单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体；将得到的单晶颗粒分散均匀的阴阳离子共掺杂的高镍单晶三元材料基体和含硼化合物、含钨化合物混合均匀，在氧气条件下进行煅烧，得到阴阳离子共掺杂和表面双包覆的高镍单晶三元材料。使高镍单晶三元材料放电容量、循环性能、内阻得到了明显的改善。 |
