一种发光二极管封装结构
基本信息
| 申请号 | CN202023090586.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN213845309U | 公开（公告）日 | 2021-07-30 |
| 申请公布号 | CN213845309U | 申请公布日 | 2021-07-30 |
| 分类号 | H01L33/48（2010.01）I;H01L33/52（2010.01）I;H01L33/56（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林秋霞;刘健;黄森鹏;余长治;徐宸科 | 申请（专利权）人 | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 高园园 |
| 地址 | 362343福建省泉州市南安市石井镇院前村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型公开了一种发光二极管封装结构，该发光二极管封装结构包括：基板，位于基板上的LED芯片和第一封装层，以及位于第一封装层外围的第二封装层。第一封装层为氟材料，能够更好地抵御紫外光线的破坏，同时氟材料的透射率比较高，能够提高LED的出光率；在第一封装层外围设置第二封装层，可以避免切割时在封装材料的侧壁处留下毛边残留，同时能够加强基板与封装材料的结合力，提高结构的气密性。本实用新型所述的发光二极管封装结构，能够更好地抵御紫外光线的破坏，提高LED的出光率，结构平整光滑，气密性好，使用寿命也能够得到提高。 |
