一种半导体发光元件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202080007340.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113228310A | 公开（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申请公布号 | CN113228310A | 申请公布日 | 2021-08-06 |
| 分类号 | H01L33/20（2010.01）I;H01L33/22（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 林宗民;黄苡叡;张中英;邓有财 | 申请（专利权）人 | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 362343福建省泉州市南安市石井镇院前村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提出一种LED芯片及其制作方法，通过激光减薄LED芯片的衬底，然后进行隐形切割将芯片分离开。所述LED芯片的衬底背面具有激光减薄衬底过程中形成的粗化结构。本发明可解决现有化学机械研磨工艺减薄透明衬底厚度至小于80μm时出现的翘曲严重，边缘崩边引起的破片问题；同时所述LED芯片的衬底表面具有激光减薄衬底过程形成的粗化结构，可增强出光，提升发光亮度。 |
