LED封装器件及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202180001629.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113302757A | 公开（公告）日 | 2021-08-24 |
| 申请公布号 | CN113302757A | 申请公布日 | 2021-08-24 |
| 分类号 | H01L33/54（2010.01）I;H01L33/48（2010.01）I;H01L33/58（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 陈顺意;黄森鹏;李达诚;时军朋;余长治;徐宸科 | 申请（专利权）人 | 泉州三安半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京汉之知识产权代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王立红 |
| 地址 | 362343福建省泉州市南安市石井镇院前村 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请公开了一种LED封装器件及其制备方法。该封装器件包括封装基板、LED芯片和封装层，LED芯片设在封装基板的固晶区，并位于封装层和封装基板之间；LED芯片外围的封装层配置有台阶结构，台阶结构中的台阶按照自上至下顺序定义为第1台阶、第2台阶、第n台阶；每个台阶均包括台阶面与竖向面，第1台阶的竖向面与LED芯片之间的最大水平距离小于第n台阶的竖向面与LED芯片之间的水平距离。本申请将LED芯片外围的封装层配置为台阶结构，减小LED芯片侧壁处封装层厚度，以减小封装层的应力释放，提高该封装器件的可靠性。同时，由于LED芯片侧壁处封装层厚度的减小，则LED芯片侧壁处封装层能够减小对LED芯片出射光的吸收，提高LED芯片的出光亮度。 |
