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一种半导体激光器

基本信息

申请号 CN202120878495.3 申请日 -
公开（公告）号 CN215119536U 公开（公告）日 2021-12-10
申请公布号 CN215119536U 申请公布日 2021-12-10
分类号 H01S5/024（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 袁科;樊英民;王警卫;付团伟 申请（专利权）人 西安炬光科技股份有限公司
代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） 代理人 张洋
地址 710000陕西省西安市高新区丈八六路56号
法律状态 -

摘要

摘要 本申请提供一种半导体激光器，涉及半导体技术领域，包括芯片以及分别设在芯片两侧的正极散热器和负极散热器，正极散热器和负极散热器内均具有散热通道，散热通道内容置有可循环的冷却液。冷却液通过在散热通道内循环流动，吸收芯片产生的热量，与芯片进行热交换，以完成对芯片的散热。这种在芯片两侧均设置散热结构的双面散热方式，其散热效果相较于单面散热，散热能力更强。能有效降低半导体激光器的热阻，提高整体的散热能力，实现半导体激光器高功率激光输出。这种热交换的散热方式，因其能对正极散热器和负极散热器本身进行散热，使半导体激光器不仅可应用于水平阵列，还可应用于垂直阵列，以使半导体激光器的应用具有广泛性。