一种掺锑纳米氧化锡粉体的制备方法
基本信息
申请号 | CN201711221442.9 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN107758741B | 公开(公告)日 | 2019-06-21 |
申请公布号 | CN107758741B | 申请公布日 | 2019-06-21 |
分类号 | C01G30/00(2006.01)I; C01G19/02(2006.01)I; B82Y30/00(2011.01)I | 分类 | 无机化学; |
发明人 | 韦建初; 韦竣严; 兰岱龙; 何正军; 陆宏卫; 曹应科; 卢忠讲 | 申请(专利权)人 | 广西生富锑业科技股份有限公司 |
代理机构 | 北京君恒知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 谭月萍;黄启行 |
地址 | 547000 广西壮族自治区河池市金城江区维六社区三队 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本发明公开了一种掺锑纳米氧化锡粉体的制备方法,由以下步骤组成:(1)将锑盐和锡盐混合后溶于乙醇溶液中,室温超声震荡10‑20min,得到溶液A;将丁烷四羧酸、磷酸二氢铵依次溶于去离子水中,得到溶液B;(2)将溶液A和溶液B混合后,室温超声震荡5‑10min,然后在搅拌状态下,添加碱和二乙醇胺,使溶液pH为8‑9,然后加热至65‑75℃,反应2‑4h,得到沉淀前驱体;(3)将沉淀前驱体洗涤、干燥、煅烧,即得所掺锑纳米氧化锡粉体。本发明制备得到的掺锑纳米氧化锡粉体,粒径分布均匀,分散性好,制备得到的掺锑纳米氧化锡粉体平均粒径小于120nm,电阻率小于25Ω·cm,比表面积在4‑6m2/g,导电性能良好。 |
