场效应晶体管电路、装置、芯片及电池管理系统
基本信息
| 申请号 | CN202120350700.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN214315221U | 公开（公告）日 | 2021-09-28 |
| 申请公布号 | CN214315221U | 申请公布日 | 2021-09-28 |
| 分类号 | H03K17/687（2006.01）I;H01M10/42（2006.01）I | 分类 | 基本电子电路; |
| 发明人 | 周号 | 申请（专利权）人 | 珠海迈巨微电子有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京庚致知识产权代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | 李伟波;李晓辉 |
| 地址 | 519000广东省珠海市高新区唐家湾镇金唐路1号港湾1号科创园24栋C区1层147室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本公开提供了一种场效应晶体管电路，包括：场效应晶体管，所述场效应晶体管包括栅极、源极、漏极、衬底、第一寄生二极管和第二寄生二极管，其中所述第一寄生二极管和第二寄生二极管反向串联，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的串联电路的一端连接所述源极，并且所述串联电路的另一端连接所述漏极，所述第一寄生二极管和第二寄生二极管的连接点与所述衬底连接；以及开关，所述开关的一端与所述连接点连接，所述开关的另一端与所述源极连接。本公开还提供了一种充放电控制装置、芯片、电池管理系统、及电设备。 |
