一种磁控溅射装置和磁控溅射设备
基本信息
申请号 | CN201821184166.3 | 申请日 | - |
公开(公告)号 | CN208604202U | 公开(公告)日 | 2019-03-15 |
申请公布号 | CN208604202U | 申请公布日 | 2019-03-15 |
分类号 | C23C14/35(2006.01)I; C23C14/54(2006.01)I | 分类 | 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
发明人 | 李皓瑜; 刘宇翔; 张建红; 朱之贞; 胡建明; 陈权; 杨津听; 李坤伦; 柴大克; 孙胜凡; 丁洁; 周雄飞; 聂川滨; 杨红飞; 俞云坤; 曾仁武 | 申请(专利权)人 | 昆明星众科技孵化器有限公司 |
代理机构 | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人 | 汤东凤 |
地址 | 650000 云南省昆明市五华区教场西路39号42幢1-4层 | ||
法律状态 | - |
摘要
摘要 | 本实用新型公开一种磁控溅射装置,包括真空室、自转电机、中齿轮、减速箱、公转电机、靶基距调控箱和磁控溅射靶,自转电机输出端进入真空室内与中齿轮啮合的小齿轮连接,中齿轮上固定安装一个齿轮组,齿轮组两边啮合连接自转齿轮,自转齿轮上安装自转轴,自转轴头端安装工件架;公转电机输出端与安装在真空室外顶部中间的减速箱连接,减速箱与公转轴连接,真空室底部安装有抽气孔、磁控溅射靶、充气孔及加热器,磁控溅射靶上安装靶基距调控箱。可实现工件的自转与公转,且靶基距、偏心距及转速比均可调节,装置整体结构简单、设计合理新颖、功能全面,为小靶材大基片多工位磁控溅射镀膜膜厚均匀性的研究与分析奠定基础。 |
