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一种晶圆级芯片尺寸原子蒸汽腔封装方法

基本信息

申请号	CN201310518366.3	申请日	-
公开（公告）号	CN104555905B	公开（公告）日	2016-04-27
申请公布号	CN104555905B	申请公布日	2016-04-27
分类号	B81C3/00(2006.01)I	分类	微观结构技术〔7〕;
发明人	王逸群;姜春宇;付思齐;林文魁;王德稳;张宝顺	申请（专利权）人	中科泰菲斯（武汉）技术有限公司
代理机构	深圳市科进知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中科泰菲斯（武汉）技术有限公司
地址	215123 江苏省苏州市苏州工业园区若水路398号
法律状态	-

摘要

本发明涉及MEMS器件制造领域，具体公开一种晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔封装方法，包括步骤：S1通过阳极键合，将第一键合玻璃与带有通孔的硅晶圆的一侧表面键合，使得通孔形成各自独立的预成型腔；S2在部分预成型腔中，置入碱金属蒸汽反应物；S3通过气密胶键合，在缓冲气体存在下将第二键合玻璃与硅晶圆的另一侧外环键合，形成气密的预腔室；S4升温以使碱金属蒸汽反应物反应产生碱金属蒸汽；S5通过阳极键合使第二键合玻璃与硅晶圆的另一侧表面键合，形成各自独立封闭的原子蒸汽腔；以及S6划片，未置入碱金属蒸汽反应物的腔即为晶圆级芯片尺寸的原子蒸汽腔。本发明的封装方法，完全兼容传统制造工艺，兼具单腔室的体积优势和双腔室蒸汽纯度高的优势。