一种应用于高效薄膜光电池的双层结构窗口层
基本信息
| 申请号 | CN201410563452.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN104362186B | 公开（公告）日 | 2016-10-05 |
| 申请公布号 | CN104362186B | 申请公布日 | 2016-10-05 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 钱磊;章婷;谢承智;刘德昂 | 申请（专利权）人 | 苏州柯利达集团有限公司 |
| 代理机构 | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 | 代理人 | 苏州柯利达集团有限公司 |
| 地址 | 215000 江苏省苏州市苏州高新技术产业开发区狮山路88号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种新型的用于薄膜光电池的双层结构窗口层。双层结构窗口层，包括溶液法制备的纳米金属氧化物和真空溅射法制备的金属氧化物层。该新型双层结构窗口层不但保持了真空溅射法制备的氧化物薄膜良好的致密性，同时由于纳米金属氧化物薄膜是通过溶液法来制备，避免了真空溅射过程中对其它功能层表面的破坏，从而有效地降低了界面复合，提高了光电池的FF和开路电压。与单层纳米金属氧化物或者真空溅射制备的氧化物薄膜作为窗口层的器件相比，基于双层结构窗口层的薄膜光电池的转换效率提高了15％以上。 |
