硫系玻璃或相变储存材料锗砷硒碲靶材的生产工艺
基本信息
| 申请号 | CN201611222968.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106637105B | 公开（公告）日 | 2019-05-24 |
| 申请公布号 | CN106637105B | 申请公布日 | 2019-05-24 |
| 分类号 | C23C14/34 | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 吴文斌;舒小敏 | 申请（专利权）人 | 江西科泰新材料有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 330800 江西省宜春市高安市新世纪工业园通城西大道26号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种硫系玻璃或相变储存材料锗砷硒碲靶材的生产工艺，包括：将Ge、As、Se、Te四种元素单质破碎成均匀小块或粉末，然后将四种单质按计算用量装入石英管中，抽真空后，进行密管合成。将合成好的GeAsSeTe化合物球磨，得到干燥的GeAsSeTe粉末。以GeAsSeTe粉末为原料进行热压烧结，制得GeAsSeTe靶坯。对靶坯进行机械加工得到GeAsSeTe靶材。本发明使用的密管合成法可合成杂相少、成分均匀的GeAsSeTe化合物，并可有效保证合成产物的高纯度。热压烧结成形生产工艺生产的GeAsSeTe靶材，相对密度高、成分均匀、晶粒小、性能好。 |
