集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管专利查询专利号|摘要-满商公司网

集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管

基本信息

申请号	CN200710134474.5	申请日	-
公开（公告）号	CN101159267A	公开（公告）日	2008-04-09
申请公布号	CN101159267A	申请公布日	2008-04-09
分类号	H01L27/088(2006.01);H01L21/76(2006.01)	分类	基本电气元件;
发明人	易扬波;刘侠;李海松	申请（专利权）人	无锡博创微电子有限公司
代理机构	南京经纬专利商标代理有限公司	代理人	无锡博创微电子有限公司;苏州博创集成电路设计有限公司
地址	214028江苏省无锡市无锡新区长江路21号信息产业园D座4楼
法律状态	-

摘要

本发明公开了一种集成增强型和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，包括重掺杂N型衬底，在N型衬底上设置有N型外延，在N型外延上设置有增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管，在所述的增强型垂直双扩散金属氧化物场效应管和耗尽型垂直双扩散金属氧化物场效应管之间设有一隔离结构，该隔离结构包括浮置P型阱、二氧化硅介质层以及多晶硅场板，所述的浮置P型阱设置在N型外延上，所述的二氧化硅介质层设置在浮置P型阱的上端，所述的多晶硅场板设置在二氧化硅介质层中。与现有技术相比，本发明采用隔离机构将增强型和耗尽型两种垂直双扩散金属氧化物场效应管集成在一块芯片内，更有利系统的集成和小型化。