耗尽型终端保护结构
基本信息
| 申请号 | CN200610096438.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN1929126A | 公开（公告）日 | 2007-03-14 |
| 申请公布号 | CN1929126A | 申请公布日 | 2007-03-14 |
| 分类号 | H01L23/58(2006.01) | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 易扬波;李海松 | 申请（专利权）人 | 无锡博创微电子有限公司 |
| 代理机构 | 南京经纬专利商标代理有限公司 | 代理人 | 无锡博创微电子有限公司;苏州博创集成电路设计有限公司 |
| 地址 | 214028江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园D栋4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 一种用于保护功率集成电路或功率器件的耗尽型终端保护结构，包括：重掺杂N型衬底，在重掺杂N型衬底上设有轻掺杂N型外延，在轻掺杂N型外延上设有重掺杂N型截止环及用于设置功率集成电路或功率器件原胞的腔体，在轻掺杂N型外延的重掺杂N型截止环及原胞腔体以外的区域上方设有场氧化层，在场氧化层上方设有多晶场板，在场氧化层、重掺杂N型截止环及多晶场板上覆有介质层，在重掺杂N型截止环及多晶场板上分别连接有金属引线，轻掺杂N型外延上设有接零电位的轻掺杂P型阱，该轻掺杂P型阱位于场氧化层的下面且位于重掺杂N型截止环与原胞腔体之间。 |
