一种P型晶体硅背面电极的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910529082.1 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110277459B | 公开（公告）日 | 2021-07-27 |
| 申请公布号 | CN110277459B | 申请公布日 | 2021-07-27 |
| 分类号 | H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 朱鹏;杨贵忠;陈艳美;王叶青 | 申请（专利权）人 | 南通天盛新能源股份有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 226000江苏省南通市南通市经济技术开发区吉庆路28号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种P型晶体硅背面电极的制备方法，该背面电极的制备方法是：在P型晶体硅背面钝化层上印刷全铝浆，然后在全铝浆上印刷线性中间层‑玻璃浆，最后在线性中间层‑玻璃浆上叠印背面银电极，采用本方法制备的太阳能电池，可以在不破坏钝化层的同时，还可以保持与银铝接触良好，也不影响导电性，本发明可以形成完整的全铝背场提高了电极区域的场钝化特性，减少载流子符合，没有银进入硅基体，不会产生漏电，降低电池漏电流，提高光电转换效率。 |
