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氮化硅及其制备方法

基本信息

申请号	CN201710125144.3	申请日	-
公开（公告）号	CN108529576B	公开（公告）日	2020-12-04
申请公布号	CN108529576B	申请公布日	2020-12-04
分类号	C01B21/068	分类	无机化学;
发明人	朱青松;何文	申请（专利权）人	苏州协鑫能源技术发展有限公司
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	苏州协鑫能源技术发展有限公司
地址	215000 江苏省苏州市工业园区新庆路28号二层东南角
法律状态	-

摘要

本发明涉及一种氮化硅及其制备方法。上述氮化硅的制备方法包括以下步骤：采用氮气对硅颗粒进行气雾化处理，得到气雾化后的硅粉；连续将等离子体状态下的氮气和气雾化后的硅粉送入反应器，并保持反应器温度为1300℃～1450℃，之后进行固气分离并保留固体；以及向固体中添加α相氮化硅、氟化铵和碘化铵，混匀之后抽真空，之后通入氮气和氢气的混合气体直至压力升至表压0.005MPa～0.05MPa，之后升温至1200℃～1250℃，并持续通入氮气和氢气的混合气体直至压力升至表压0.01MPa～0.1MPa，维持反应时间为5小时～10小时，反应完全之后冷却，得到氮化硅。本发明的氮化硅的制备方法为复合合成法，采用本发明的上述氮化硅的制备方法能够得到高α相氮化硅。