高断裂伸长率耐电晕聚酰亚胺膜的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110531416.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113354847A | 公开（公告）日 | 2021-09-07 |
| 申请公布号 | CN113354847A | 申请公布日 | 2021-09-07 |
| 分类号 | C08J5/18;C08L79/08;C08K3/22;C08K3/36 | 分类 | 有机高分子化合物；其制备或化学加工；以其为基料的组合物; |
| 发明人 | 王炳洋;陈国飞;方省众;巴玉霞 | 申请（专利权）人 | 东营欣邦电子科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 257000 山东省东营市东营区大渡河路167号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及有机高分子材料改性技术领域，具体涉及一种高断裂伸长率耐电晕聚酰亚胺膜的制备方法，包括如下步骤：将纳米氧化物进行真空干燥，然后加入到极性有机溶剂中，分散，得到悬浮液，在上述悬浮液中加入二酐和二胺进行反应，制备聚酰胺酸溶液，然后加入有机碱与聚酰胺酸进行成盐反应，再加入脱水剂和催化剂进行化学亚胺化，最后经热亚胺化形成聚酰亚胺溶液，将聚酰亚胺溶液涂覆于支撑体上，烘干得到所述聚酰亚胺膜；本发明采用简单的聚合方法，提高耐电晕聚酰亚胺薄膜的断裂伸长率，通过有机碱、脱水剂和催化剂的共同作用，在保证薄膜的其他性能不下降的同时，大幅度提高其韧性，断裂伸长率最高可提高到4倍以上。 |
