一种基于集成电路进行多层并联的电容
基本信息
| 申请号 | CN202210185563.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114613863A | 公开（公告）日 | 2022-06-10 |
| 申请公布号 | CN114613863A | 申请公布日 | 2022-06-10 |
| 分类号 | H01L29/92（2006.01）I;H01L29/93（2006.01）I;H01L29/94（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 曾繁中;张汝京;邹才明 | 申请（专利权）人 | 宁波芯恩半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京盛凡佳华专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 315000浙江省宁波市北仑区柴桥街道万景山路213号G幢四层1-1 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种基于集成电路进行多层并联的电容，包括若干并联的电容和基板，所述电容设置于基板上方构成第一并联电容，所述电容设置于基板中构成第二并联电容；所述电容包括端电极、内电极、介质、金属通孔，所述端电极包括第一端电极和第二端电极，所述内电极包括若干层；所述第一金属通孔设置于第一端电极顶部，所述第二金属通孔设置于第二端电极顶部；本发明采用将基板做成PN结电容、MOS电容，接着做多层的大电容，集成在一起，同时改善高频低频特性；集成电路工艺机械应力很小，半导体平面工艺，均匀性好，性能稳定，多层并联，适合制作大电容，大的电容一般高频性能不好，而小容量电容则刚好相反，具有很好的高频性能。 |
