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一种LED用大尺寸氮化镓半导体片的制备方法

基本信息

申请号 CN201710572699.2 申请日 -
公开（公告）号 CN107464867B 公开（公告）日 2019-06-14
申请公布号 CN107464867B 申请公布日 2019-06-14
分类号 H01L33/32（2010.01）I; H01L33/00（2010.01）I; H01L33/20（2010.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 陈庆; 曾军堂; 陈兵 申请（专利权）人 上海盛丽光电科技有限公司
代理机构 上海浙晟知识产权代理事务所（普通合伙） 代理人 上海盛丽光电科技有限公司;启东盛丽光电科技有限公司
地址 200000 上海市闵行区三鲁公路2755号12幢1楼
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提出一种LED用大尺寸氮化镓半导体片的制备方法，采用二氧化硅气凝胶和氧化铝作为原料，制备大面积的氮化镓衬底，首先将二氧化硅气凝胶与氧化铝共混，得到氧化铝‑二氧化硅气凝胶复合溶胶，再经过涂布过程，旋涂在普通玻璃表面，再通过烧结工艺形成复合衬底材料，然后沉积生长大尺寸氮化镓半导体。由于二氧化硅气凝胶的可伸缩性、耐高温性、可剥离性，使得得到氮化镓尺寸大、晶格完整、无缺陷。而且该方法制备的衬底可以重复使用，成本低，过程简单，适用于工业化大规模生产。