一种半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201510573189.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN105353468A | 公开（公告）日 | 2016-02-24 |
| 申请公布号 | CN105353468A | 申请公布日 | 2016-02-24 |
| 分类号 | G02B6/26 | 分类 | 光学; |
| 发明人 | 王文辉;邓江东;钟桂雄;李四华;施林伟;李维 | 申请（专利权）人 | 深圳市盛喜路科技有限公司 |
| 代理机构 | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000 江苏省苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城西北区20幢513室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种半自对准直接耦合式光纤阵列的制备方法，包括步骤：提供光学平台，在所述光学平台上根据所需光纤位置开槽；将光纤一一对应地放置在所述槽中，将光纤固定在所述槽中；把光学平台和光纤一起切开；将切开后得到的两个端面放置在底板上对准并固定。一种用上述方法制备的光纤阵列，以及使用该光纤阵列得到的VOA器件。 |
