硅外延炉装置
基本信息
| 申请号 | CN202220028150.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216514254U | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN216514254U | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | C30B25/08（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I;C30B25/10（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 高勇;薛宏伟;袁肇耿;仇根忠;吴子凡;杜雷雨;魏桂忠;任永升 | 申请（专利权）人 | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 050200河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种硅外延炉装置，所述硅外延炉装置包括壳体、石墨基座、保温隔热托盘、加热器、旋转结构以及转接件，所述壳体外周环设有冷却水结构，具有反应腔，所述壳体上设有进气孔、出气孔以及第一穿孔，所述石墨基座转动设置在所述反应腔内，所述保温隔热托盘位于所述石墨基座与所述壳体之间并与所述石墨基座间隔设置，所述加热器用于对所述石墨基座进行加热，所述旋转结构包括电机和旋转轴，所述电机位于所述反应腔外，所述旋转轴与所述电机输出轴相连并通过所述转接件连接所述石墨基座。本实用新型提供的硅外延炉装置可大幅降低能耗。 |
