改善硅外延片背面边缘长硅的方法
基本信息
| 申请号 | CN202210260870.7 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN114318295A | 公开（公告）日 | 2022-04-12 |
| 申请公布号 | CN114318295A | 申请公布日 | 2022-04-12 |
| 分类号 | C23C16/44（2006.01）I;C23C16/56（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 米姣;薛宏伟;袁肇耿;刘永超;侯志义;任丽翠 | 申请（专利权）人 | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | 张一 |
| 地址 | 050200河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种改善硅外延片背面边缘长硅的方法，属于硅外延生长技术领域，方法包括：外延生长前，向外延反应腔室内通入大流量的气态HCl，刻蚀去除外延反应腔室以及基座内沉积的硅；外延生长采用化学气相沉积法，将具有特定弯曲度的衬底放入基座的片坑内，且衬底向远离基座的方向弯曲；外延生长之后，将外延片取出，再次向外延反应腔室通入大流量的气态HCL。本发明由于采用了具有特定弯曲度的衬底，及外延生长前后均采用大流量的气体刻蚀清洗，因此可以明显改善硅外延片背面边缘长硅问题，减小硅外延片边缘局部平整度，避免后道光刻聚焦不良问题，满足后道工序光刻要求，从而能够提高光刻图形的位置准确性，提高产品的质量。 |
