碳化硅外延设备
基本信息
| 申请号 | CN202123346517.0 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN216514256U | 公开（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申请公布号 | CN216514256U | 申请公布日 | 2022-05-13 |
| 分类号 | C30B25/16（2006.01）I;C30B25/12（2006.01）I;C30B29/36（2006.01）I | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 杨龙;吴会旺;李召永;白春杰;李伟峰;张国良;袁肇耿;薛宏伟 | 申请（专利权）人 | 河北普兴电子科技股份有限公司 |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 | 代理人 | - |
| 地址 | 050200河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本实用新型提供了一种碳化硅外延设备，所述碳化硅外延设备包括壳体、加热器、基座、测距仪以及控制器；所述壳体设有透视结构，所述加热器位于所述壳体内，具有用于吹浮所述基座的气道；所述基座包括可旋转地设置在所述加热器顶部的基座本体以及与所述基座本体连接的检测柱体，所述检测柱体具有待检测面；所述测距仪通过所述透视结构，实时检测所述待检测面到所述测距仪的水平最短距离；所述控制器与所述测距仪电性连接，用于接收信号并根据所述待检测面到所述测距仪的水平最短距离的变化量计算所述基座的竖直位移。本实用新型提供的碳化硅外延设备达到对基座进行实时监控的目的。 |
