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快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法

基本信息

申请号 CN202210240112.9 申请日 -
公开（公告）号 CN114628243A 公开（公告）日 2022-06-14
申请公布号 CN114628243A 申请公布日 2022-06-14
分类号 H01L21/205（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B25/18（2006.01）I;C30B25/20（2006.01）I;C30B29/06（2006.01）I 分类 基本电气元件;
发明人 周晓龙;陈秉克;薛宏伟;袁肇耿 申请（专利权）人 河北普兴电子科技股份有限公司
代理机构 石家庄国为知识产权事务所 代理人 -
地址 050200河北省石家庄市鹿泉经济开发区昌盛大街21号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种快速恢复外延二极管用双层硅外延片的制备方法，属于半导体材料制备技术领域，方法包括硅衬底片的预处理：外延前对选用的硅衬底片进行清洗、抛光，并在抛光时，外延腔室内温度升温至1030～1060℃；外延生长：在外延腔室内通入三氯氢硅作为硅源，外延腔室内温度保持1030～1060℃；在硅衬底片上低速生长本征外延层；在外延腔室内通入H2变流量吹扫1‑3分钟清理杂质；在本征外延层上变高速生长掺杂磷烷的第一层外延层；再次通入H2变流量吹扫1‑3分钟清理杂质；改变掺杂流量，在第一层外延层上高速生长掺杂磷烷的第二层外延层。本发明能够生长出理想的平坦外延层，提高硅外延片均匀性和二极管的电学性能。