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一种MBIST电路、驱动芯片、电子设备及测试方法

基本信息

申请号 CN202111329436.1 申请日 -
公开（公告）号 CN114035027A 公开（公告）日 2022-02-11
申请公布号 CN114035027A 申请公布日 2022-02-11
分类号 G01R31/28（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 唐永生;黄立 申请（专利权）人 成都利普芯微电子有限公司
代理机构 成都维飞知识产权代理有限公司 代理人 张巧燕
地址 610093四川省成都市高新区和乐一街71号4栋2单元19层1901
法律状态 -

摘要

摘要 本申请涉及一种MBIST电路、驱动芯片、电子设备及测试方法，属于集成电路技术领域。该MBIST电路在接收到测试指令信号时，向存储器输入进行MBIST测试所需的ADR地址信号、测试数据以及时序信号，并将写入待测试地址的测试数据和存储器从待测试地址中读取的结果数据进行比较，输出该待测试地址是否测试成功的信号；ADR地址信号包括逐渐增加和逐渐减小两种模式，每种模式对应多组不同的测试数据。本申请中的ADR地址信号包括逐渐增加和逐渐减小两种模式，且每种模式对应多组不同的测试数据，进而可以组合得到多种测试模式，通过利用至少两种测试模式对存储器进行MBIST测试，可以提高存储器测试的准确性和可靠性。