一种DDR3信号末端的端接结构
基本信息
| 申请号 | CN202220948965.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN217035143U | 公开（公告）日 | 2022-07-22 |
| 申请公布号 | CN217035143U | 申请公布日 | 2022-07-22 |
| 分类号 | G11C7/10（2006.01）I;H03K19/0175（2006.01）I;G11C5/14（2006.01）I | 分类 | 信息存储; |
| 发明人 | 董一志;周伟杨;曹戎格 | 申请（专利权）人 | 北斗星通智联科技有限责任公司 |
| 代理机构 | 北京超凡宏宇专利代理事务所（特殊普通合伙） | 代理人 | - |
| 地址 | 401120重庆市渝北区玉峰山镇桐桂大道3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申请提供了一种DDR3信号末端的端接结构，涉及车载设备技术领域，包括：一个电阻和一个电容，其中，所述电阻的一端通过一片或多片串联的DDR3，与系统级芯片连接，所述电阻的另一端和电容连接；所述电阻的阻值为50欧姆；所述电容的电容值为100uf。本申请在不影响DDR信号质量的前提下，降低了硬件成本。 |
