一种可提高导电性能的有机纳米导电膜

基本信息

申请号 CN201921378330.9 申请日 -
公开(公告)号 CN210200335U 公开(公告)日 2020-03-27
申请公布号 CN210200335U 申请公布日 2020-03-27
分类号 H01B5/14;B32B27/06;B32B27/30;B32B27/42;B32B33/00;B32B7/12;B32B15/02;B32B15/04 分类 基本电气元件;
发明人 邓江波 申请(专利权)人 深圳市诺斯特新材料有限公司
代理机构 - 代理人 -
地址 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道劳动社区名优采购中心A座5层531
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型涉及纳米导电膜技术领域,公开了一种可提高导电性能的有机纳米导电膜,为解决现有的纳米导电薄膜防划效果较差,另外纳米线层敷这里较差等问题,所述纳米线膜层的上表面固定连接有自洁膜层,且纳米线膜层的下表面固定连接有基层膜,所述自洁膜层的上表面固定连接有树脂层,所述酚醛膜层的下表面固定连接有防划层。本实用新型设置有防划层,能够通过防划层内的空气净化层净化吸收PVC材质在高温下释放的酸性气体,以及部分有害气体,大大提升了使用时的安全性能,采用银纳米线作为填充导电基质,最大程度的提高了导电性能,提升了导电膜的整体品质。