闪存数据的写入方法、装置及计算机可读存储介质
基本信息
| 申请号 | CN201811539392.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN109582248B | 公开（公告）日 | 2022-02-22 |
| 申请公布号 | CN109582248B | 申请公布日 | 2022-02-22 |
| 分类号 | G06F3/06（2006.01）I;G06F11/30（2006.01）I | 分类 | 计算；推算；计数; |
| 发明人 | 胡小均;吴大畏;李晓强;黄慧 | 申请（专利权）人 | 深圳市硅格半导体有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 | 代理人 | 胡海国 |
| 地址 | 518000广东省深圳市南山区科技南十二路18号长虹科技大厦6楼05-2、06-08单元 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种闪存数据的写入方法、装置以及计算机可读存储介质，包括以下步骤：在接收到数据写入指令后，获取当前环境的温度数值；在所述温度数值不在预设范围内时，将所述数据写入第一存储区中，其中，所述第一存储区采用SLC编程模式存储数据，在写入所述数据时每次写入1Bit数据；在所述温度数值恢复到预设范围内时，获取所述第一存储区中的数据并写入第二存储区中，其中，所述第二存储区采用除SLC编程模式外的其他存储模式。因本发明能在写入数据前判断工作温度是否在正常范围内，当温度不在正常范围内时将数据写入单阶存储单元中，从而解决了闪存在正常工作的温度范围外写入数据时数据出错率增高的问题。 |
