LED制备工艺
基本信息
| 申请号 | CN202010077300.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN111244233B | 公开（公告）日 | 2021-09-24 |
| 申请公布号 | CN111244233B | 申请公布日 | 2021-09-24 |
| 分类号 | H01L33/00（2010.01）I;H01L33/12（2010.01）I;H01L33/32（2010.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 孙蕾蕾 | 申请（专利权）人 | 江苏明纳半导体科技有限公司 |
| 代理机构 | 北京华仁联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陶长清 |
| 地址 | 224700 江苏省盐城市建湖县高新区经六路智慧产业园A区3#楼3-4层 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种LED制备工艺，包括提供一衬底；对衬底进行高温处理；依次形成缓冲层、未掺杂层、第一半导体层、发光层、第二半导体层；所述缓冲层包括依次形成在所述衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层，所述第一缓冲层形成过程中温度逐渐减低，所述第二缓冲层形成过程中温度保持不变，所述第三缓冲层形成过程中温度逐渐升高。本发明通过不同温度下形成的多种晶体形态缓冲层，释放了缓冲层自身的内部应力，最后形成的缓冲层表面也较普通缓冲层平滑，得到外延片表面形貌好，由于制备过程中充分利用了利用降温和升温阶段，无需单独的步骤形成，节省了制程时间，最后得到的LED结晶质量好、缺陷密度低。 |
