校准磁传感器的方法和装置

基本信息

申请号 CN201310172424.1 申请日 -
公开(公告)号 CN104142485B 公开(公告)日 2017-09-15
申请公布号 CN104142485B 申请公布日 2017-09-15
分类号 G01V3/40 分类 测量;测试;
发明人 涂仲轩;方舒 申请(专利权)人 意法半导体(中国)投资有限公司
代理机构 北京市金杜律师事务所 代理人 郑立柱
地址 200241 上海市东川路555号丁楼4层
法律状态 -

摘要

摘要 本申请公开了一种用于校准磁传感器的方法和装置。所述方法包括获取多个磁场测量值;将所述多个磁场测量值中的至少一部分代入椭球体模型,以获得所述椭球体模型的中心坐标;根据所述椭球体模型的中心坐标,确定用于校准的偏移量;以及利用所述用于校准的偏移量,对所述磁传感器进行校准。用于执行所述方法的磁传感器,包括获取模块,用于获取多个磁场测量值;控制模块,用于将所述多个磁场测量值的至少一部分代入椭球体模型,从而获得所述椭球体模型的中心坐标,以及根据所述椭球体模型的中心坐标,确定用于校准的偏移量;以及校准模块,用于基于所述用于校准的偏移量来对所述磁传感器进行校准。