高电位梯度压敏电阻片的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN202110611033.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN113506664A | 公开（公告）日 | 2021-10-15 |
| 申请公布号 | CN113506664A | 申请公布日 | 2021-10-15 |
| 分类号 | H01C17/00（2006.01）I;H01C17/30（2006.01）I;H01C7/112（2006.01）I;H01C7/115（2006.01）I;H01C7/12（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 万帅;曹伟;谷山强;谭进;刘新;杜雪松;王智凯;刘子皓 | 申请（专利权）人 | 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 |
| 代理机构 | 武汉开元知识产权代理有限公司 | 代理人 | 潘杰 |
| 地址 | 430074湖北省武汉市洪山区珞瑜路143号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种高电位梯度压敏电阻片的制备方法，该方法经准备电阻片的原料、混合粉料的制备、总浆料的制备、坯体的制备和烧结五大步骤制备得到压敏电阻片；本发明方法在引入Ga（NO3）3添加剂的同时，引入预煅烧合成工艺，提高了压敏电阻片的电位梯度的同时，也具备优秀的通流能力；本发明方法简单易行，成本低，适合推广使用。 |
