一类含二唑吲哚并吡咯的稠环化合物及其制备方法与应用
基本信息
| 申请号 | CN201911065770.3 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112778335B | 公开（公告）日 | 2022-06-28 |
| 申请公布号 | CN112778335B | 申请公布日 | 2022-06-28 |
| 分类号 | C07D513/22（2006.01）I;C08G61/12（2006.01）I;H01L51/30（2006.01）I;H01L51/46（2006.01）I;H01L51/54（2006.01）I | 分类 | 有机化学〔2〕; |
| 发明人 | 应磊;钟知鸣;黄飞;曹镛 | 申请（专利权）人 | 华南协同创新研究院 |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 523808 广东省东莞市松山湖园区学府路1号15栋533室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一类含二唑吲哚并吡咯的稠环化合物及其制备方法与应用，所述稠环化合物结构式如式1，式中，X相同或不同地选自CR1或N；Y相同或不同地选自：C（R1）2、NR1、BR1、C（R1）2O、Si（R1）2、Ge（R1）2、R1C＝CR1、C（R1）2C（R1）2、C＝O、C＝NR1、C（＝O）O、C（＝O）NR1、P（＝O）（R1）、P（＝S）（R1）、O、S、Se、Te、S（＝O）和SO2中的至少一种；*为R1或Ar；Ar为稠环基团。该类稠环化合物具有较强的化学稳定性及化学修饰性，具有较好的光探测性能；所述稠环化合物含二唑单元，吸电性较好，是有利于实现空气稳定的n型半导体材料。 |
