一种半导体外延片生长设备
基本信息
| 申请号 | CN202110408846.9 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112981526A | 公开（公告）日 | 2021-06-18 |
| 申请公布号 | CN112981526A | 申请公布日 | 2021-06-18 |
| 分类号 | C30B25/08;C30B29/06 | 分类 | 晶体生长〔3〕; |
| 发明人 | 郑国 | 申请（专利权）人 | 上海衍梓智能科技有限公司 |
| 代理机构 | 上海国瓴律师事务所 | 代理人 | 傅耀 |
| 地址 | 200240 上海市闵行区剑川路951号零号湾2号楼506 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体外延片生长设备，包括基座、射频电磁线圈、钟罩、侧隔板条、顶盘和垫片。其中，基座有三层硅片位，射频电磁线圈包括12环铜线圈，顶盘直径为5cm‑50cm，垫片高度为2cm‑9cm，射频电磁线圈位于钟罩外部并环绕基座，垫片连接基座和所述顶盘。其中本发明的有益效果是：原有的外延片生长设备仅能在基座上放两层硅片位，本设备可以设置三层硅片位，提高了50％的产能；且实现外延层厚度均匀度<3％,电阻率均匀度<4％,炉内均匀度<5％，良率达到88％以上的生产要求。 |
