一种功率半导体器件的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201910347370.5 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN110190029A | 公开（公告）日 | 2021-07-09 |
| 申请公布号 | CN110190029A | 申请公布日 | 2021-07-09 |
| 分类号 | H01L21/8234;H01L21/425 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 金恩泽;李宗宪;尹锺晚 | 申请（专利权）人 | 爱特微（张家港）半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王巍巍 |
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港经济技术开发区新丰东路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明为一种功率半导体器件的制备方法，在制备功率半导体器件时，为了支持器件在关闭（turn‑off）时阳极和阴极两端能够连接高电压，必须在功率半导体器件周围形成边缘终端区域。基本的构成要素包括，在形成PN结的P型well或N型well的加工过程中，无需经过另外的掩蔽层步骤和离子注入步骤，而是与有源区的多数MOS栅极结构cell或者二极管cell的形成所需要的离子注入步骤同时进行，由于同时进行离子注入加工所以形成了相同浓度的well。 |
