一种背面金属化金共晶工艺
基本信息
| 申请号 | CN202110170537.2 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112908848A | 公开（公告）日 | 2021-06-04 |
| 申请公布号 | CN112908848A | 申请公布日 | 2021-06-04 |
| 分类号 | H01L21/3205 | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王献兵 | 申请（专利权）人 | 爱特微（张家港）半导体技术有限公司 |
| 代理机构 | 常州佰业腾飞专利代理事务所（普通合伙） | 代理人 | 王巍巍 |
| 地址 | 215600 江苏省苏州市张家港经济技术开发区新丰东路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种背面金属化金共晶工艺，包括如下步骤：（1）贴膜：在硅片正面贴保护膜；（2）修膜：沿硅片边缘将保护膜修整齐；（3）背面减薄：通过减薄设备将硅片的背面减薄；（4）背面腐蚀：将减薄后的硅片置于腐蚀槽中并加入腐蚀液进行腐蚀，腐蚀后取出，腐蚀液为氢氟酸、硝酸和活化液的混合物；（5）去膜：腐蚀后将硅片正面的保护膜去除，并对硅片进行清洗，然后吹干；（6）背面蒸发：对硅片背面进行金属蒸发处理，在硅片背面形成金层；（7）真空合金：背面蒸发后将硅片置于真空合金炉中熔炼，形成金硅合金；完成背面金属化金共晶工艺。本发明的背面金属化金共晶工艺，其工艺成本大幅降低，且没有毒性，在P型材料的硅片上可以使用。 |
