InP/GaP/ZnS核壳量子点及其制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201710516796.X | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN107338048A | 公开（公告）日 | 2017-11-10 |
| 申请公布号 | CN107338048A | 申请公布日 | 2017-11-10 |
| 分类号 | C09K11/70(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 分类 | 染料；涂料；抛光剂；天然树脂；黏合剂；其他类目不包含的组合物；其他类目不包含的材料的应用; |
| 发明人 | 白洁;恒蔚宏 | 申请（专利权）人 | 深圳天吉新创科技有限公司 |
| 代理机构 | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 | 代理人 | 彭辉剑 |
| 地址 | 518108 广东省深圳市田区景田东路润丰园汇景阁1栋B701 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明提供一种InP/GaP/ZnS核壳量子点的制备方法，包括如下步骤：将铟前驱体、镓前驱体和锌前驱体溶解于有机溶剂，得到铟镓锌混合前驱体溶液；将磷前驱体加入所述铟镓锌混合前驱体溶液中，反应后得到InP/GaP:Zn量子点核溶液；向所述InP/GaP:Zn量子点核溶液中间隔多次加入壳层材料进行反应，所述壳层材料为锌盐溶液和硫醇的混合溶液，得到所述InP/GaP/ZnS核壳量子点。本发明的制备方法合成工艺简单，量子产量达60％‑90％，荧光波长范围覆盖510‑650nm。本发明制备的InP/GaP/ZnS核壳量子点的壳层厚度较厚、稳定性好。 |
