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一种硅电容麦克风的电气连线结构及其电气连线方法

基本信息

申请号 CN201510092043.1 申请日 -
公开（公告）号 CN105992115B 公开（公告）日 2021-09-21
申请公布号 CN105992115B 申请公布日 2021-09-21
分类号 H04R19/04（2006.01）I 分类 电通信技术;
发明人 万蔡辛;杨少军 申请（专利权）人 共达电声股份有限公司
代理机构 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 代理人 孙皓晨;朱世定
地址 261206 山东省潍坊市坊子区凤山路68号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明提供了一种硅电容麦克风的电气连线结构及其电气连接方法，所述电气连接结构包括衬底、非导电层和导电层，所述衬底、非导电层和导电层彼此之间形成有多个台阶结构，所述多个台阶结构上附着有多个金属电极，用以在相互绝缘的导电层之间的形成电气连接。所述电气连接方法包括：S1：在衬底上生成一组或多组交错排列的牺牲层和导电层，在牺牲层、导电层或衬底之间形成多个台阶结构；S2：生长一层金属层，保留所述金属层中附着于所述多个台阶结构上的多个金属电极，去除所述金属层的其他部分。本发明可按硅麦克风设置需要实现不同导电层之间的电气连接、走线交叉、电气屏蔽功能，从而使其灵敏度、线性度、信噪比等指标得以提高。