一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法及实施装置
基本信息
| 申请号 | CN201710020499.6 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN106683983B | 公开（公告）日 | 2019-07-02 |
| 申请公布号 | CN106683983B | 申请公布日 | 2019-07-02 |
| 分类号 | H01L21/02（2006.01）I; H01L21/027（2006.01）I; H01L21/67（2006.01）I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 梁万国; 李广伟; 张新汉; 陈怀熹; 缪龙; 冯新凯; 邹小林 | 申请（专利权）人 | 福建中科晶创光电科技有限公司 |
| 代理机构 | 福州科扬专利事务所 | 代理人 | 罗立君 |
| 地址 | 350108 福建省福州市闽侯县上街镇科技东路中科院海西研究院(中国科学院福建物质结构研究所)3号楼726室 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明涉及一种去除刻蚀后基片表面光刻胶的方法及实施装置，该方法包括以下依序进行的步骤：步骤一：采用等离子灰化工艺去除刻蚀后基片表面上残余的光刻胶；步骤二：使用清洁胶涂覆在步骤一中的灰化后的基片的表面；步骤三：待基片表面的清洁胶风干固化后，将基片表面的清洁胶撕除。该方法及实施装置既能达到清洗的目的，又达到操作简便易行、后续工艺简单的目的。 |
