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一种VDMOS器件及其制作方法

基本信息

申请号 CN201811093637.4 申请日 -
公开（公告）号 CN109103110B 公开（公告）日 2021-10-29
申请公布号 CN109103110B 申请公布日 2021-10-29
分类号 H01L21/336;H01L29/78 分类 基本电气元件;
发明人 不公告发明人 申请（专利权）人 盛世瑶兰（深圳）科技有限公司
代理机构 深圳市兰锋盛世知识产权代理有限公司 代理人 马世中
地址 518000 广东省深圳市罗湖区桂园街道宝安南路3042号天地大厦21楼2113
法律状态 -

摘要

摘要 本发明涉及一种VDMOS器件及其制作方法，所述方法包括：在外延层上表面依次生长栅氧化层以及位于所述栅氧化层表面且具有第一开口的多晶硅层；在所述外延层表面区域形成第二导电类型的体区；在所述栅氧化层极及所述多晶硅层上表面形成第一介质层；在所述第一开口内形成多个源区光刻胶，对所述第一介质层进行湿法腐蚀，以去除未被所述源区光刻胶覆盖的第一介质层以及被所述源区光刻胶覆盖的部分所述第一介质层，所保留的第一介质层为第二介质层；对所述栅氧化层进行干法刻蚀，去除所述源区光刻胶下方以外的所述栅氧化层，以形成阶梯状的源区注入窗口；通过注入及热驱入工艺，在所述体区表面区域形成第一导电类型的源区。