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一种半导体测试头结构

基本信息

申请号 CN202121609555.8 申请日 -
公开（公告）号 CN215180660U 公开（公告）日 2021-12-14
申请公布号 CN215180660U 申请公布日 2021-12-14
分类号 G01R31/26（2014.01）I;F25D31/00（2006.01）I 分类 测量；测试;
发明人 李义霖;任彬;郑东;杨文宝;石家全;李永奇 申请（专利权）人 天津金海通半导体设备股份有限公司
代理机构 天津企兴智财知识产权代理有限公司 代理人 蒋宏洋
地址 300384天津市滨海新区华苑产业区物华道8号A106
法律状态 -

摘要

摘要 本实用新型提供了一种半导体测试头结构，包括温控头及其上方安装的双层流道，双层流道包括制热层和制冷层，制热层内部设有制热通道，制热通道的两侧分别设有制热流道入口和制热流道出口，制冷层内部设有制冷通道，制冷通道的两侧分别设有制冷流道出口和制冷流道入口，制热流道入口、制热流道出口、制冷流道出口和制冷流道入口处分别设有一个电磁阀，温控头和每个电磁阀均信号连接至外部的控制器。本实用新型所述的半导体测试头结构，在外部输出功率相同时，能加速流体在流道内的流速，加快载温介质的传递速率，给测试头提供充足的制冷及制热量，当我们需要低温时，可关闭高温通道，需要高温时可关闭制冷通道，大大提高了能源利用率。