一种高通量薄膜的制备装置及方法

基本信息

申请号 CN202110135614.0 申请日 -
公开(公告)号 CN112962068A 公开(公告)日 2021-06-15
申请公布号 CN112962068A 申请公布日 2021-06-15
分类号 C23C14/34(2006.01)I 分类 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕;
发明人 尹彬;张庆钊 申请(专利权)人 北京中科泰龙电子技术有限公司
代理机构 北京高沃律师事务所 代理人 张德才
地址 100029北京市朝阳区北土城西路3号
法律状态 -

摘要

摘要 本发明公开一种高通量薄膜的制备装置及方法,涉及高通量薄膜制备装置技术领域,主要结构包括样品台、多个溅射靶、纵向挡板和横向挡板;样品台设置于多个溅射靶的中部,并与多个溅射靶相隔一定距离;纵向挡板和横向挡板设置于样品台与多个溅射靶之间;纵向挡板和横向挡板均可沿水平方向平移,纵向挡板和横向挡板的移动方向相垂直。纵向挡板和横向挡板上分别设有一镂空孔,通过调整纵向挡板和横向挡板的位置,使两个镂空孔的交叉点处于样品台的不同区域,并通过改变各溅射靶的溅射功率,从而在样品台上不同区域溅射出不同成分的镀膜,从而对装置内部一次抽真空即可完成多个样品的制备,缩短了制备样品所需的时间,从而提高材料的研发速度。