一种高通量薄膜的制备装置及方法
基本信息
| 申请号 | CN202110135381.4 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN112962067A | 公开（公告）日 | 2021-06-15 |
| 申请公布号 | CN112962067A | 申请公布日 | 2021-06-15 |
| 分类号 | C23C14/34（2006.01）I | 分类 | 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕; |
| 发明人 | 尹彬;张庆钊 | 申请（专利权）人 | 北京中科泰龙电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京高沃律师事务所 | 代理人 | 张德才 |
| 地址 | 100029北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开一种高通量薄膜的制备装置及方法，涉及高通量薄膜制备装置技术领域，主要结构包括样品台、多个溅射靶和挡板；所述样品台设置于所述多个溅射靶的中部，并与所述多个溅射靶相隔一定距离；所述挡板可移动的设置于所述多个溅射靶之间且位于所述样品台正下方。通过调整挡板和样品台之间的距离，改变溅射靶的功率，从而在样品台上由边缘向中部溅射出不同成分的镀膜，从而能够对装置内部一次抽真空即可完成多个样品的制备，大大缩短了制备样品所需的时间，从而提高材料的研发速度。 |
