一种金属氮化物阻挡层的制备方法
基本信息
| 申请号 | CN201110285513.8 | 申请日 | - |
| 公开（公告）号 | CN103021931B | 公开（公告）日 | 2015-09-23 |
| 申请公布号 | CN103021931B | 申请公布日 | 2015-09-23 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 分类 | 基本电气元件; |
| 发明人 | 王文东;夏洋;李超波;李勇滔;刘训春 | 申请（专利权）人 | 北京中科泰龙电子技术有限公司 |
| 代理机构 | 北京华沛德权律师事务所 | 代理人 | 北京泰龙电子技术有限公司;中国科学院微电子研究所 |
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||
| 法律状态 | - | ||
摘要
| 摘要 | 本发明公开了一种金属氮化物阻挡层的制备方法，属于半导体器件制造技术领域。所述金属氮化物阻挡层采用物理气相沉积方法制备，在沉积金属层时，物理气相沉积设备上的离子源产生氮离子束，向金属层中注入氮离子。本发明采用等离子体辅助的物理气相沉积的制备方法提高阻挡层的致密性，同时也保证其为非晶结构，非晶不存在晶界这样的可供快速扩散的通道，是理想的阻挡层结构。 |
